Характеристики транзистора IRFS630A на русском
Если вы ищете надежный и производительный транзистор для своих электронных схем, обратите внимание на IRFS630A. Этот транзистор N-канального типа MOSFET с логическим управлением отличается высокой проводимостью и низким сопротивлением. Он идеально подходит для приложений, требующих больших токов и низких напряжений.
Одной из ключевых особенностей IRFS630A является его низкое сопротивление канала (Rds(on)), которое составляет всего 0,025 Ом. Это делает его идеальным выбором для приложений, где требуется низкое падение напряжения и высокая эффективность. Кроме того, транзистор имеет высокую максимальную токовую способность (Id(max)) до 17 А, что делает его подходящим для приложений с высокой нагрузкой.
IRFS630A также отличается высокой стойкостью к высоким температурам и может работать при температурах до 175°C. Это делает его идеальным выбором для приложений, где требуется высокая стабильность и надежность. Кроме того, транзистор имеет низкое входное сопротивление (Rin), что облегчает его использование в схемах с высокой чувствительностью.
Характеристики транзистора IRFS630A
Ток стока: Максимальный ток стока IRFS630A составляет 12 А, что делает его идеальным для применения в высоконагруженных схемах.
Напряжение сток-исток: Этот параметр определяет максимальное напряжение, которое может выдержать транзистор. Для IRFS630A это значение составляет 20 В.
Напряжение затвора-стока: Максимальное напряжение затвора-стока для IRFS630A составляет 6 В. Это значение определяет пределы, в которых можно управлять током стока.
Сопротивление канала: Сопротивление канала IRFS630A составляет 0.015 Ом. Это значение определяет потери мощности в транзисторе и влияет на его общую эффективность.
Максимальная рассеиваемая мощность: IRFS630A может рассеивать до 100 Вт мощности, что делает его подходящим для применения в высокомощных схемах.
В целом, транзистор IRFS630A обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для различных приложений, требующих высокой мощности и надежности.
Основные параметры транзистора
Также стоит обратить внимание на максимальную мощность рассеяния (Pd(max)). Для IRFS630A этот параметр равен 112 Вт, что свидетельствует о его высокой эффективности в приложениях с высокой нагрузкой.
Еще один важный параметр — это максимальное напряжение сток-исток (Vds(max)). Для IRFS630A этот параметр составляет 200 В, что делает его подходящим для приложений с высоким напряжением.
Кроме того, обратите внимание на коэффициент передачи тока (β(Ft)). Для IRFS630A этот параметр составляет 16 А/В, что свидетельствует о его высокой чувствительности к входному сигналу.
Применение в схемотехнике
Одним из ключевых преимуществ IRFS630A является его низкое сопротивление насыщения, что позволяет ему работать с высокими токами без значительного нагрева. Это делает его идеальным выбором для схем, где требуется высокая выходная мощность при низком напряжении питания.
При выборе транзистора для схемотехнического применения важно учитывать не только его характеристики, но и его размеры и стоимость. IRFS630A доступен в компактном корпусе TO-220, что облегчает его установку в небольших схемах. Кроме того, он имеет конкурентоспособную цену, что делает его доступным для широкого круга применений.
